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欧版智能磨粉机

进料粒度:25-55mm         产量:4-100T/H

新型颚式破碎机

进料粒度: 0-1280mm          产量:160-1510T/H

新型反击式破碎机

进料粒度:0-1300mm          产量:250-2000T/H

旋回式破碎机

进料粒度:0-1350mm          产量:2015-8895T/H

多缸液压圆锥破碎机

进料粒度:0-350mm          产量:45-1200T/H

立轴冲击式制砂机

进料粒度:0-55mm          产量:100-583T/H

单缸液压圆锥破碎机

进料粒度:0-370mm          产量:45-2130T/H

超细立式磨粉机

进料粒度:10-20mm          产量:5-18T/H

反击式破碎机

进料粒度:0-500mm          产量:50-220T/H

碳化硅 流程

甘肃时产40吨的煤粉加工项目

时产200吨的河卵石制砂生产线

山东石灰石磨粉加工现场

时产300吨的花岗岩破碎项目

1.碳化硅加工工艺流程_百度文库

碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的发展史: 1893 年 艾奇逊 发表了第一个制碳化硅的专利,该专利提出了制取碳化硅的工业方法,其主要特 点是,在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物,使之相互反应,从而生成碳化 硅,到 1925 年卡普伦登公司,又宣布研制成功绿碳化硅。

1.碳化硅加工工艺流程_百度文库

2012-8-23 · 碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的发展史: 1893 年 艾奇逊 发表了第一个制碳化硅的专利, 该专利提出了制取碳化硅的 工业方法,其主要特点是,在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和 碳的混合物,使之相互反应,从而生成碳化硅,到 1925 年卡普伦登公司,又宣布 研制成功绿碳化硅。

碳化硅生产工艺_百度文库

2013-9-4 · 工业用碳化硅的合成工艺流程,如图 1 所示。 图 1 合成碳化硅流程图 (四)合成碳化硅的理化性能 1. 合成碳化硅的化学成分 (一)合成碳化硅的国家标准(GB/T 2480—1981)见表 5。 表 3 碳化硅的国家标准(GB/T 2480—1981) 粒度范围 化学成分/% SiC(不少于 ...

碳化硅陶瓷工艺流程_百度文库

碳化硅陶瓷工艺流程_材料科学_工程科技_专业资料 166人阅读|1次下载 碳化硅陶瓷工艺流程_材料科学_工程科技_专业资料。碳化硅陶瓷工艺流程 碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐磨性 能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨 胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等 优良特性。

碳化硅陶瓷工艺流程_百度文库

碳化硅陶瓷工艺流程_材料科学_工程科技_专业资料 287人阅读|7次下载 碳化硅陶瓷工艺流程_材料科学_工程科技_专业资料。悲把升往轴断疾原 赫亩商馆际涩 蘸呛玫打捣逻 筹收郭啪艺歪 权抛悦赋聚搬 呆蔼肠注绸惦 相烂跃耗鹏势 艘珠惫继腰谅 丈轨其晴甄隙 诛互聚兜冠涝 吹钻漆猪攻廖 程许祸馒弯谐 ...

碳化硅生产工艺流程_百度知道

2019-3-27 · 碳化硅 2113 生产工 艺流 程简述如下 5261: ⑴、原料 破碎采用锤式破碎 4102 机 对石 油焦进行 1653 破碎,破碎到工艺要 求的 粒径。 ⑵、配料与混料 配料与混料是按照规定配方进行称量和混匀的过程。本项目配料采用平台,混料采用混凝土搅拌机,按照 ...
碳化硅生产工艺流程详细介绍?碳化硅生产工艺流程以及工作 ...2019-12-21 碳化硅的制作工艺是什么?_百度知道2019-3-27状态: 未解决查看更多结果

碳化硅_百度百科

概述发展历史物质品种理化性质制作工艺中国产地品质规格制品应用领域碳化硅又名碳硅石、金刚砂,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。在baike.baidu.com上查看更多信息

碳化硅(SiC)功率器件发展现状 - 知乎

2017年10月上旬,公司完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验;并且从2017年12月开始正式流片,在短短不到5个月内克服种种困难,成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。

碳化硅的外延生长方法与流程 - X技术

碳化硅的外延生长方法与流程 文档序号:11528994 导航: X技术> 最新专利>无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术 本发明涉及在碳化硅单晶基板上使碳化硅薄膜生长的碳化硅的外延生长方法 ...

一种高纯碳化硅粉料的制备方法与流程

本发明属于新材料晶体加工领域,具体涉及一种高纯碳化硅粉料的制备方法。背景技术碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一,因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质,而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。高纯碳化硅单晶是制备高频 ...

【中瑞论坛】南京大学李哲洋:碳化硅外延技术研究及发展 ...

2020-4-14 · 碳化硅的流程是用高频的碳粉合成碳化硅粉,最后变成晶片。 变成晶片以后要其做器件之前有一个很重要的环节,即需要外延一层或者多层,不同厚度的,做成芯片以后切片分装,外延在整个过程中是必不可少的,都需要外延技术来实现,高质量的外延也是实现器件的基础。

【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺 - 中国粉体网

2019-12-13 · 碳化硅坯体反应烧结流程 图 反应烧结工艺具有烧结温度低、烧结时间短,近净尺寸成型等优点,是一种制备大尺寸,形状复杂的碳化硅陶瓷制品的最有效的方法。但反应烧结容易出现烧结产品密度不均匀、烧结产品易开裂以及烧结过程中渗硅不 ...

碳化硅(SiC)功率器件发展现状-电子发烧友网 - Elecfans

2019-7-5 · 2017年10月上旬,公司完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验;并且从2017年12月开始正式流片,在短短不到5个月内克服种种困难,成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。

碳化硅的国产化进程_产业_新闻资讯_第三代半导体产业网

2020-10-29 · 碳化硅的国产化进程产业 第三代半导体产业网 半导体 氮化镓 华为 中国 芯 光刻机 半导体产业 ... 一点。上面是三个方面分别介绍的。实际上,国内能从衬底-外延片和器件三个方面做全流程 ...

国内碳化硅产业链企业大盘点_锦有的博客-CSDN博客

2019-5-28 · 这是国内首条6英寸碳化硅生产线,获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持,是中车时代电气的重点投资项目之一,实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。 北京世纪金光半导体

解读!碳化硅晶圆划片技术_加工 - Sohu

2020-10-14 · 碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料,SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势,是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的,应用前景十分广阔,是核心器件发展需要的关键材料,由于其加工难度大,一直未能得到大规模推广应用。

碳化硅,为何让人又爱又恨?-国际电子商情

2019-9-4 · 碳化硅(SiC)作为半导体材料具有优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质,因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。

碳化硅晶圆生长,难在哪里?-电子发烧友网 - Elecfans

2018-10-10 · 相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不 …

国内碳化硅半导体企业大盘点 - 中国粉体网

2020-3-5 · 这是国内首条6英寸碳化硅生产线,获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持,是中车时代电气的重点投资项目之一,实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。扬杰科技

碳化硅生产工艺-百度经验

2020-3-24 · 碳化硅生产工艺,最近很多前来咨询的客户问碳化硅价格,今天小编跟大家分享一下海旭磨料碳化硅报价是多少?在了解碳化硅价格之前,我们先要明白碳化硅的生产工艺,不同粒度的碳化硅是如何生产出来的。下面就由郑州市海旭磨料小编为大家详细介绍一下碳化硅生产工艺!

碳化硅陶瓷生产工艺流程-土巴兔装修大学

2015-9-25 · 碳化硅陶瓷生产工艺流程 时间 : 2015-09-25 导语:我们都知道碳化硅陶瓷在我们的生活中是发挥着很重要的作用的,它优秀的性能一方面是因为它本身与生俱来的,另一方面是因为完善的加工工艺使得它本身的性能得到了进一步的开发和保存,所以它才能够在使用的过程中表现的那么出色。

碳化硅陶瓷配方加工工艺技术生产制造流程

2020-5-22 · 碳化硅陶瓷配方加工工艺技术生产制造流程 发布时间:2020-05-22 作者:admin 浏览次数:172 1 多相复合增强的低摩擦碳化硅陶瓷密封材料及其配方技术 ...

【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺 - 中国粉体网

2019-12-13 · 碳化硅坯体反应烧结流程 图 反应烧结工艺具有烧结温度低、烧结时间短,近净尺寸成型等优点,是一种制备大尺寸,形状复杂的碳化硅陶瓷制品的最有效的方法。但反应烧结容易出现烧结产品密度不均匀、烧结产品易开裂以及烧结过程中渗硅不 ...

碳化硅(SiC)功率器件发展现状-电子发烧友网 - Elecfans

2019-7-5 · 2017年10月上旬,公司完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验;并且从2017年12月开始正式流片,在短短不到5个月内克服种种困难,成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。

国内碳化硅产业链企业大盘点_锦有的博客-CSDN博客

2019-5-28 · 这是国内首条6英寸碳化硅生产线,获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持,是中车时代电气的重点投资项目之一,实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。 北京世纪金光半导体

国内碳化硅产业链企业大盘点-全球半导体观察丨DRAMeXchange

2018-12-6 · 据介绍,上海瞻芯电子于2017年10月上旬完成工艺流程、器件和版图设计,在10月至12月间完成初步工艺试验,并且从2017年12月开始正式流片,2018年5月成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅MOSFET的制造流程。

碳化硅晶圆生长,难在哪里?-电子发烧友网 - Elecfans

2018-10-10 · 相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不 …

小议碳化硅的国产化-电子头条-EEWORLD电子工程世界

2020-10-19 · 对应碳化硅的衬底的2种类型,即导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅外延层,可以制得碳化硅外延片,进一步制成功率器件,主要应用于新能源汽车等领域;在半绝缘型碳化硅衬底上,生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成微波射频 ...

有谁了解碳化硅陶瓷膜? - 知乎 - Zhihu

2017-8-10 · 很高兴有人关注碳化硅陶瓷膜!碳化硅膜被称为未来的过滤材料,具有坚固耐用、通量超大、耐污染、易再生的特点,应用前景广阔。我们团队早在2012年就开始研发碳化硅膜了,纯质碳化硅陶瓷膜制备发明专利于2016年得到授权,是国内最早一批得到授权的碳化硅膜专利,比老外的专利仅晚了10年。
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